[发明专利]半导体器件

摘要

谋求具有FINFET的半导体器件的省面积化。分别通过2个局域互连部(LIC2)将n沟道型的FINFET(NFT)和p沟道型的FINFET(PFT)的漏极区域(Dp、Dn)从栅电极(GE)与其相邻的虚设栅极(DG)之间的Y栅格(YG2)引出到其相邻的Y栅格(YG3)。并且，用在Y栅格(YG3)沿X方向延伸的局域互连部(LIC1)将这些局域互连部(LIC2)之间连接。根据这样的单元布局，通过局域互连部(LIC1)的配置，虽然栅格数增加了一个，但能够缩短X方向的长度。结果，能够确保局域互连部(LIC1，LIC2)间的空间，并谋求单位单元的单元面积的缩小化。

主权项

一种半导体器件，包括：第一鳍片，为沿第一方向延伸的长方体状；第二鳍片，与所述第一鳍片分离配置，且为沿所述第一方向延伸的长方体状；栅电极，隔着栅极绝缘膜配置在所述第一鳍片和所述第二鳍片上，沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；第一晶体管的第一电极，形成在位于所述栅电极的一侧的第一鳍片中；所述第一晶体管的第二电极，形成在位于所述栅电极的另一侧的第一鳍片中；第二晶体管的第一电极，形成在位于所述栅电极的一侧的第二鳍片中；所述第二晶体管的第二电极，形成在位于所述栅电极的另一侧的第二鳍片中；和第一局部布线，将所述第一晶体管的所述第一电极和所述第二晶体管的所述第一电极连接，所述第一局部布线由埋入层间绝缘膜中的导电性膜构成，所述层间绝缘膜将所述栅电极覆盖。