[发明专利]LED外延层结构生长方法及所得外延层结构和LED芯片有效
| 申请号： | 201510502776.8 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105118904B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 郭嘉杰;苏军;徐迪 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人： | 黄子平 |
| 地址： | 423038 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了LED外延层结构生长方法及所得外延层结构和LED芯片，其中LED外延层结构的生长方法，包括生长P型AlGaN层和设置于P型AlGaN层顶面上的第一P型GaN层的步骤，还包括在P型AlGaN层和第一P型GaN层之间生长遮蔽层的步骤，遮蔽层为P型AlGaN/InGaN超晶格结构；生长P型AlGaN层时生长温度为750～800℃，Al掺杂浓度为1.8E+20～2.2E+20atom/cm3，Mg掺杂浓度为1E+20～2E+20atom/cm3；生长P型AlGaN/InGaN超晶格结构时生长温度为850～900℃，Mg掺杂浓度为2E+20～3E+20atom/cm3。本发明提供的LED外延层结构中将P型AlGaN/InGaN超晶格结构插入P型AlGaN层和P型GaN层之间，一方面既阻挡了来自量子阱区的大量位错缺陷，防止这些位错缺陷与P型GaN层之间形成漏电通道，同时增强阻挡电子从多量子阱区外溢的能力。 | ||
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【主权项】：
一种LED外延层结构的生长方法，包括生长P型AlGaN层和设置于所述P型AlGaN层顶面上的第一P型GaN层的步骤，其特征在于，还包括在所述P型AlGaN层和所述第一P型GaN层之间生长遮蔽层的步骤，所述遮蔽层为P型AlGaN/InGaN超晶格结构；生长所述P型AlGaN层时生长温度为750～800℃，Al掺杂浓度为1.8E+20～2.2E+20atom/cm3，Mg掺杂浓度为1E+20～2E+20atom/cm3；生长所述P型AlGaN/InGaN超晶格结构时生长温度为850～900℃，Mg掺杂浓度为2E+20～3E+20atom/cm3；所述P型AlGaN/InGaN超晶格结构中包括多个依次叠置的超晶格单元，所述超晶格单元由超晶格P型AlyGa(1‑y)N层和叠置于所述超晶格P型AlyGa(1‑y)N层上的超晶格P型InxGa(1‑x)N层组成；所述超晶格P型InxGa(1‑x)N层的厚度为1～2nm，所述超晶格P型AlyGa(1‑y)N层的厚度为2～4nm，所述超晶格单元数为5～8个；其中x＝0.2～0.3，y＝0.1～0.2。
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