[发明专利]TFT阵列基板结构及其制作方法有效
| 申请号: | 201510502590.2 | 申请日: | 2015-08-14 |
| 公开(公告)号: | CN105093750B | 公开(公告)日: | 2018-11-23 |
| 发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明提供一种TFT阵列基板结构及其制作方法。该TFT阵列基板结构,设置有分别与每行公共电极(15)对应的用于连接该行公共电极(15)的多条横向公共电极线(17)、分别与每列公共电极(15)对应的用于连接该列公共电极(15)的多条纵向公共电极线(43),所述多条横向公共电极线(17)与多条纵向公共电极线(43)相互交织成网状,能够使得公共电压在液晶显示面板内的分布更均匀,提升液晶显示面板的画面显示品质。 | ||
| 搜索关键词: | tft 阵列 板结 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板结构,其特征在于,包括:多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11);多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41),所述多条沿水平方向间隔设置的栅极扫描线(11)与多条沿竖直方向间隔设置的数据线(41)相互绝缘交错,划分出多个子像素区域;呈矩阵式排列的多个公共电极(15),每一公共电极(15)对应位于一子像素区域内;分别与每行公共电极(15)对应的用于连接该行公共电极(15)的多条横向公共电极线(17);分别与每列公共电极(15)对应的用于连接该列公共电极(15)的多条纵向公共电极线(43);所述多条横向公共电极线(17)与多条纵向公共电极线(43)相互交织成网状;与每一公共电极(15)相对设置的像素电极(60);以及对应每一像素电极(60)设置的TFT(T);所述横向公共电极线(17)与所述栅极扫描线(11)由同种金属材料经同一制程形成,所述纵向公共电极线(43)与所述数据线(41)由同种金属材料经同一制程形成;还包括:一栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述栅极扫描线(11)、公共电极(15)、TFT(T)的栅极(13)、与横向公共电极线(17),所述横向公共电极线(17)与所述公共电极(15)重叠或抵接以连通,所述纵向公共电极线(43)经由贯穿该栅极绝缘层的第一过孔(21)连接于公共电极(15)和/或横向公共电极线(17);一绝缘保护层,覆盖所述数据线(41)、纵向公共电极线(43)、与所述TFT(T)的源极(45)及漏极(47),所述像素电极(60)经由贯穿该绝缘保护层的第二过孔(51)连接于所述TFT(T)的漏极(47)或源极(45);所述第一过孔(21)的形状为长条形,所述第二过孔(51)的形状为圆形;所述第一过孔(21)的面积小于或等于公共电极线(43)与该子像素区域内公共电极(15)的重叠面积,且第一过孔(21)位于公共电极线(43)与该子像素区域内公共电极(15)的重叠范围以内。
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