[发明专利]调整在双极半导体器件中的电荷载流子寿命有效
| 申请号： | 201510498628.3 | 申请日： | 2015-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105374884B | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | M.巴鲁西克;J-G.鲍尔;O.胡姆贝尔;H.米洛尼希;G.施密特;W.舒施特雷德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/739;H01L29/74;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/332;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及调整在双极半导体器件中的电荷载流子寿命。公开了一种方法和半导体器件。该方法包括经由第一表面将复合中心原子注入半导体主体中；以及使所注入的复合中心原子在第一扩散过程中在半导体主体中扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 调整 半导体器件 中的 电荷 载流子 寿命 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体主体的方法，包括：经由第一表面将复合中心原子注入所述半导体主体中；以及使所注入的复合中心原子在第一扩散过程中在所述半导体主体中扩散；形成邻近所述第一表面和第二表面中的一个的在所述半导体主体中的掺杂区，其中所述第二表面与所述第一表面相对，其中所述掺杂区在所述第一扩散过程之后形成，通过激活退火工艺或快速热退火工艺之一来激活所述掺杂区，使得没有发生所注入的复合中心原子的扩散或吸杂。
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