[发明专利]锗膜的成膜方法和成膜装置

摘要

本发明提供锗膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法用于在被处理体的被处理面上形成锗膜，其中，该锗膜的成膜方法包括：工序一，向容纳有所述被处理体的处理室内供给氨基硅烷系气体；工序二，向所述处理室内供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体；以及工序三，向所述处理室内供给锗源气体，使所述工序三中的处理温度为所述锗源气体产生热分解的温度以上且300℃以下。

主权项

1.一种锗膜的成膜方法，其用于在被处理体的被处理面上形成锗膜，其中，该锗膜的成膜方法包括：工序一，在该工序一中，向容纳有所述被处理体的处理室内供给氨基硅烷系气体；工序二，在该工序二中，向所述处理室内供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体；以及工序三，在该工序三中，向所述处理室内供给锗源气体，使所述工序三中的处理温度为所述锗源气体产生热分解的温度以上且300℃以下，其中，所述工序一是在所述被处理体的被处理面上形成氨基硅烷晶种层的工序，所述工序二是在所述氨基硅烷晶种层上形成高阶硅烷晶种层的工序，所述工序三是在所述高阶硅烷晶种层上形成锗膜的工序，其中，将所述锗膜的锗浓度控制为大于70％且100％以下，所获得的所述锗膜的表面粗糙度为1.47nm以下。