[发明专利]一种封装结构的压力、加速度二合一传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种封装结构的压力、加速度二合一传感器及其制备方法，悬臂梁的一端固定在硅片的反面，另一端悬空，质量块设置在悬臂梁的悬空端上，悬臂梁位于第一凹陷区的底部，第一凹陷区连通上盖板上对应的第一凹槽；硅片的正面分别掺杂制得多个加速度压阻条和压力压阻条，加速度压阻条设置于悬臂梁和/或质量块上，第二凹陷区的底部和压力压阻条之间形成压力感应膜，第二凹槽正对压力压阻条；绝缘层覆盖在硅片的正面，金属引线设置在绝缘层之上，金属引线分别连通各个压阻条。利用二次掩膜法腐蚀工艺技术，实现在同一颗MEMS芯片中同时制作出加速度传感器和压力传感器，提高了传统胎压传感器的芯片集成度。

主权项

一种封装结构的压力、加速度二合一传感器，其特征在于，包括上盖板、下盖板、硅片、悬臂梁、质量块、多个压阻条、绝缘层、金属引线、中间层；所述上盖板上开设第一凹槽和第二凹槽，所述硅片的反面分别开设第一凹陷区和第二凹陷区，所述悬臂梁的一端固定在硅片的反面，另一端悬空，所述质量块设置在悬臂梁的悬空端上，所述悬臂梁位于第一凹陷区的底部，第一凹陷区连通上盖板上对应的第一凹槽；所述硅片的正面分别掺杂制得多个加速度压阻条和压力压阻条，所述加速度压阻条设置于悬臂梁和/或质量块上，所述第二凹陷区的底部和压力压阻条之间形成压力感应膜，第二凹槽正对压力压阻条；所述绝缘层覆盖在硅片的正面，金属引线设置在绝缘层之上，金属引线分别连通各个压阻条；所述上盖板通过中间层键合在硅片的正面，所述下盖板键合在硅片的反面，所述下盖板上正对压力感应膜的一面开设导气孔。