[发明专利]通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征在审
| 申请号： | 201510489712.9 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105374735A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 罗特莎娜·李玛丽;尼莉莎·德雷格;黛安·海姆斯;理查德·戈特斯古 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过未预干燥的湿润表面用旋涂电介质覆盖高深宽比特征，具体提供了一种方法，其包括在湿式清洁了半导体衬底之后并且在湿式清洁之后不执行干燥步骤的情况下沉积膜溶液到半导体衬底的图案化的特征上湿式清洁。膜溶液包括电介质膜前体或包括反应物、溶剂、表面活性剂以及载体流体中的至少一种和所述电介质膜前体。该方法包括通过加热衬底到烘烤温度将至少一种溶剂和未反应的溶液烘烤出由膜溶液形成的膜。该方法包括固化衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 干燥 湿润 表面 用旋涂 电介质 覆盖 高深 特征 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：在湿式清洁包含图案化的特征的半导体衬底之后：在湿式清洁所述半导体衬底之后不执行干燥步骤，而将膜溶液沉积到所述半导体衬底的所述图案化的特征上，其中，所述膜溶液包括：电介质膜前体；或反应物、溶剂、表面活性剂以及载体流体中的至少一种和所述电介质膜前体；以及通过加热所述衬底到烘烤温度，将至少一种溶剂和未反应溶液烘烤出由所述膜溶液形成的膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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