[发明专利]薄膜晶体管结构在审
| 申请号： | 201510477137.0 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN106409916A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 周凯茹;吴哲耀;赖谷皇;江宜达 | 申请（专利权）人： | 凌巨科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管结构，其包含一基板、一第一金属层、一第一缓冲层、一半导体层、一第二金属层、一第二缓冲层以及一第三金属层，该第二金属层包含一间隔区，该半导体层包含一通道区，本发明通过该第一金属层以及第三金属层产生双闸极，通过双闸极结构夹合信道区，进而提升薄膜晶体管的开电流，达到元件驱动效率提升的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管结构，其特征在于，包含：一基板，一第一金属层，设于该基板上；一第一缓冲层，覆盖该基板及该第一金属层；一半导体层，设于该第一缓冲层上；一第二金属层，设于该半导体层上，并具有一间隔区；一第二缓冲层，覆盖该第二金属层；以及一第三金属层，设于该第二缓冲层上。
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