[发明专利]采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题在审
申请号: | 201510477068.3 | 申请日: | 2015-08-06 |
公开(公告)号: | CN105161403A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 吕光泉;刘忆军;戚艳丽;宁建平;李培培;杨艳 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/513 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 甄玉荃;霍光旭 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题,主要解决等离子体化学气相沉积生产过程中,在多个腔体进行跑片时,由于机械手调度的问题,导致其中某个腔体空闲,从而引起的第一片效应的问题。该方法是在腔体空闲时间歇的通入一定气体,来加强加热盘与喷淋板之间的传热,从而保持腔体的一种稳定状态,消除第一片效应。实现步骤:1)载物台控温;2)工艺前处理;3)腔体空闲;4)间歇通气;5)工艺前处理;6)工艺片的沉积。本发明能够简单有效地消除等离子体化学气相沉积生产过程中,由于腔体的空闲导致的第一片效应。可广泛应用于半导体薄膜制造及应用技术领域。 | ||
搜索关键词: | 采用 气体 吹扫法 消除 空闲 产生 一片 效应 问题 | ||
【主权项】:
采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题,其特征在于:该方法是通过下述步骤实现:1)载物台控温:下电极通过热偶准确控制温度;2)工艺前处理:在腔室内进行沉积,刻蚀操作;3)腔体空闲:由于机械手调度出现腔室空闲;4)间歇通气:间歇从反应腔室的上电极通入气体;5)工艺前处理:在腔室内进行沉积,刻蚀操作;6)工艺片的沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造