[发明专利]采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题在审

专利信息
申请号: 201510477068.3 申请日: 2015-08-06
公开(公告)号: CN105161403A 公开(公告)日: 2015-12-16
发明(设计)人: 吕光泉;刘忆军;戚艳丽;宁建平;李培培;杨艳 申请(专利权)人: 沈阳拓荆科技有限公司
主分类号: H01L21/205 分类号: H01L21/205;C23C16/513
代理公司: 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 代理人: 甄玉荃;霍光旭
地址: 110179 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题,主要解决等离子体化学气相沉积生产过程中,在多个腔体进行跑片时,由于机械手调度的问题,导致其中某个腔体空闲,从而引起的第一片效应的问题。该方法是在腔体空闲时间歇的通入一定气体,来加强加热盘与喷淋板之间的传热,从而保持腔体的一种稳定状态,消除第一片效应。实现步骤:1)载物台控温;2)工艺前处理;3)腔体空闲;4)间歇通气;5)工艺前处理;6)工艺片的沉积。本发明能够简单有效地消除等离子体化学气相沉积生产过程中,由于腔体的空闲导致的第一片效应。可广泛应用于半导体薄膜制造及应用技术领域。
搜索关键词: 采用 气体 吹扫法 消除 空闲 产生 一片 效应 问题
【主权项】:
采用气体吹扫法消除腔体空闲产生的第一片效应问题,其特征在于:该方法是通过下述步骤实现:1)载物台控温:下电极通过热偶准确控制温度;2)工艺前处理:在腔室内进行沉积,刻蚀操作;3)腔体空闲:由于机械手调度出现腔室空闲;4)间歇通气:间歇从反应腔室的上电极通入气体;5)工艺前处理:在腔室内进行沉积,刻蚀操作;6)工艺片的沉积。
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