[发明专利]适用于MEMS麦克风的光掩膜结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种适用于MEMS麦克风的光掩膜结构，所述光掩膜结构包括SOI基板和形成在所述SOI基板的阶梯型开口；所述SOI基板包括硅衬底、中间绝缘层和硅顶层，所述中间绝缘层位于所述硅衬底和所述硅顶层之间；所述阶梯型开口包括第一开口部和第二开口部，其中所述第一开口部贯穿所述硅顶层且其开口面积与待制作的连接盘的面积相对应，所述第二开口部至少贯穿所述硅衬底并与所述第一开口部相连通，所述第二开口部的开口面积大于所述第一开口部。本发明还提供一种所述光掩膜结构的制作方法。

主权项

1.一种适用于MEMS麦克风的光掩膜结构，其用于在MEMS麦克风芯片上制作连接盘，其特征在于，包括SOI基板和形成在所述SOI基板的阶梯型开口；所述光掩膜结构位于所述MEMS麦克风芯片的上方；所述SOI基板包括硅衬底、中间绝缘层和硅顶层，所述中间绝缘层位于所述硅衬底和所述硅顶层之间；所述阶梯型开口包括第一开口部和第二开口部，其中所述第一开口部贯穿所述硅顶层且其开口面积与待制作的连接盘的面积相对应，所述第二开口部至少贯穿所述硅衬底并与所述第一开口部相连通，所述第二开口部的开口面积大于所述第一开口部。