[发明专利]一种石墨烯透明导电薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510459265.2 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105225766B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 智林杰;宁静;邱雄鹰;金梅花 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,侯桂丽 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种石墨烯透明导电薄膜的制备方法，所述方法为将氧化石墨烯薄膜与还原剂溶液接触进行还原反应，洁净处理后得到石墨烯薄膜。本发明所述石墨烯透明导电薄膜的制备方法可以进行大面积连续化制备，操作简便；以金属离子溶剂为还原剂溶液，能够稳定存放，使用安全，具有很高的实用性；制备得到的石墨烯透明导电薄膜透光性及导电性能优异。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 透明 导电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法为将氧化石墨烯薄膜与还原剂溶液接触进行还原反应，洁净处理后得到石墨烯薄膜；所述氧化石墨烯薄膜的干膜厚度为2～1000nm；所述还原剂溶液为具有还原性的金属盐溶液；所述金属盐溶液中的金属离子包括Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Cd、Sn、Pd、Bi的低价态离子中的任意1种或至少2种的组合；所述金属盐溶液的溶剂为水溶性溶剂；所述金属盐溶液的浓度为0.01～1mol/L；所述接触的方式为喷涂、旋涂、浸渍、滴涂中的任意1种或至少2种的组合；所述接触时，每平方厘米氧化石墨烯薄膜接触的金属离子的量为0.001～1mmol；所述还原反应的温度为1～100℃，时间为1min～24h。
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