[发明专利]太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201510446663.0 | 申请日: | 2015-07-27 |
公开(公告)号: | CN106409960A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 李裕进;李在鹤 | 申请(专利权)人: | TGO科技株式会社 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/0224;H01L31/20 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 姜虎,陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种太阳能电池及其制造方法。本发明涉及的太阳能电池,包含基板,排列有单位太阳能电池区域,该单位太阳能电池区域由电池单元区域和配线区域构成;第一半导体层,形成在基板上,并且在基板的配线区域上形成第一沟槽;第二半导体层,形成在第一半导体层上,并且在基板的配线区域上形成第二沟槽,以露出第一半导体层的一部分;第三半导体层,形成在第二半导体层上,并且在基板的配线区域上形成第三沟槽,以露出第二半导体层的一部分;侧壁绝缘层,埋入在第一沟槽内部,使基板的电池单元区域上的第一、第二、第三半导体层相互绝缘;电极层,形成在第三半导体层上,通过第二沟槽与第一半导体层连接。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包含:基板,排列有单位太阳能电池区域,该单位太阳能电池区域由电池单元区域和配线区域构成;第一半导体层,形成在所述基板上,并且在所述基板的所述配线区域上形成第一沟槽;第二半导体层,形成在所述第一半导体层上,并且在所述基板的所述配线区域上形成第二沟槽,以露出所述第一半导体层的一部分;第三半导体层,形成在所述第二半导体层上,并且在所述基板的所述配线区域上形成第三沟槽,以露出所述第二半导体层的一部分;侧壁绝缘层,埋入在所述第一沟槽内部,使所述基板的所述电池单元区域上的所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层相互绝缘;以及电极层,形成在所述第三半导体层上,通过所述第二沟槽而与所述第一半导体层连接。
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