[发明专利]在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201510445454.4 | 申请日： | 2015-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105097478B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 胡韬 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在栅极表面生长石墨烯的方法及在源漏极表面生长石墨烯的方法，采用低温的等离子体增强气相沉积制程在含有铜的栅极或源漏极上生成膜厚可控且与所述栅极或源漏极的图案重叠的石墨烯薄膜，石墨烯的制备温度较低，可以最大限度地不破坏薄膜晶体管的结构，采用的碳源来源广泛，价格低廉，制作方法简单，可以使用薄膜晶体管制作产线中已有的PECVD设备，无需增加成本；包覆石墨烯后的栅极或源漏极，由于石墨烯的保护作用，避免了与水和氧的接触，解决了传统的TFT制程中含有金属铜的栅极或源漏极易被氧化的问题，另外高导电性的石墨烯也不会影响整个器件的电性表现。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 表面 生长 石墨 方法 源漏极 | ||
【主权项】：
1.一种在栅极表面生长石墨烯的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1、提供一具有栅极(12)的基板，所述栅极(12)中含有金属铜；/n步骤2、将所述具有栅极(12)的基板放入PECVD反应腔内，通入H
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
