[发明专利]具有背侧散热的绝缘体上半导体

摘要

本发明实施例实现了对绝缘体上半导体(SOI)结构的散热。在一个实施例中，公开了一种制造集成电路的方法。在第一步骤中，在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成有源电路。在第二步骤中，从布置在所述绝缘体上半导体晶圆背侧的基板层去除基板材料。在第三步骤中，从所述绝缘体上半导体绝缘的所述背侧去除绝缘材料以形成挖掉的绝缘区域。在第四步骤中，在所述挖掉的绝缘区域中沉积散热层。所述散热层是导热的并且是电绝缘的。

主权项

一种制造集成电路的方法，包括步骤：在绝缘体上半导体晶圆的有源层中形成多个有源器件，所述有源器件包括n沟道晶体管和p沟道晶体管，每个所述有源器件具有沟道；其中所述多个有源器件主要为n沟道晶体管或主要为p沟道晶体管；从布置在所述绝缘体上半导体晶圆背侧的基板层去除基板材料；以及形成应变引入材料的单层，使其接近至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的沟道或在至少一个n沟道晶体管和至少一个p沟道晶体管的一部分中。