[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201510408612.9 | 申请日: | 2015-07-13 |
公开(公告)号: | CN105280543B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 服部笃;植木笃 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/78 |
代理公司: | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供晶片的加工方法,抑制扩展带因隆起而引起的从卡盘工作台的翻卷。晶片的加工方法具有:改质层形成步骤,在晶片(11)上形成改质层(25);晶片单元准备步骤,准备借助于扩展带(21)利用框架(23)支承晶片的晶片单元(1);扩张步骤,以将载置有晶片的卡盘工作台(14)相对于框架保持构件(32)顶起的方式扩张扩展带,以改质层为起点将晶片分割成芯片(27a、27b)并扩张芯片的间隔;顶起解除步骤,维持芯片的间隔并解除顶起状态;去除松弛的松弛去除步骤,在改质层形成步骤中,借助规定的分割预定线(17)以除了外周剩余区域(15)以外的方式形成改质层。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,所述晶片在正面上具有:器件区域,在该器件区域中,通过格子状的分割预定线划分出多个区域,在各区域形成有器件;以及外周剩余区域,其围绕该器件区域,且在该外周剩余区域中通过格子状的分割预定线划分出多个区域,在所述晶片的加工方法中,沿着该分割预定线对所述晶片进行分割,其特征在于,所述晶片的加工方法具有如下步骤:/n改质层形成步骤,利用透过晶片的波长的激光光线在晶片的内部形成沿着该分割预定线的改质层;/n晶片单元准备步骤,准备晶片单元,该晶片单元在环状的框架的开口中借助于扩展带而支承晶片;/n扩张准备步骤,在实施了该改质层形成步骤和该晶片单元准备步骤之后,隔着该扩展带将该晶片单元的晶片载置在卡盘工作台的保持面上,并且利用框架保持构件保持该框架;/n扩张步骤,在实施了该扩张准备步骤之后,以将该卡盘工作台相对于该框架保持构件顶起的方式使该卡盘工作台与该框架保持构件相对移动而扩张该扩展带,以该改质层为起点将晶片沿着该分割预定线分割成多个芯片并扩张该芯片的间隔;/n顶起解除步骤,在实施了该扩张步骤之后,借助于该扩展带通过该卡盘工作台的该保持面吸引保持晶片而维持该芯片的间隔,并解除该卡盘工作台相对于该框架保持构件的顶起状态;以及/n松弛去除步骤,在实施了该顶起解除步骤之后,对在该扩张步骤中被扩张而产生松弛的该卡盘工作台外周与该框架内周之间的该扩展带施加刺激而去除松弛,/n在该改质层形成步骤中,通过按照规定的该分割预定线以除该外周剩余区域以外的方式形成该改质层,增大形成在该外周剩余区域中的边料芯片的面积,/n以在与宽度方向上的端部对应的所述外周剩余区域中所述边料芯片更加大面积化的方式,设定规定的分割预定线,所述宽度方向与所述扩展带的绕出方向垂直。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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