[发明专利]传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构

摘要

本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室；所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道，每一个导气管道均包括有第一管部，第二管部与第三管部，所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大；采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其可通过导气管道的结构设置，使得其在第一管部与第三管部之间形成压差，使得反应气体可迅速通入反应室之中，并通过压差避免反应气体回到反应端盖之中，以造成气体的外泄。

主权项

一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室的上端面设置有反应端盖，其采用中空结构，所述送气管道延伸至反应端盖内部；所述反应端盖的下端面之中设置有多个导气管道，每一个导气管道均包括有第一管部，第二管部与第三管部，其中，第一管部连接至反应端盖内部，第三管部连接至反应室内部，第二管部设置于第一管部与第三管部之间；所述第一管部的直径在竖直方向上逐渐缩小，第三管部的直径在竖直方向上逐渐增大，所述反应端盖的下端面设置有至少4个导气管道得以构成至少2组导气管道，每组导气管道均由至少一个关于反应端盖的轴线成旋转对称的导气管道构成。