[发明专利]晶体硅太阳能电池绒面结构的制备方法有效
| 申请号： | 201510398632.2 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104966762B | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 邹帅;王栩生;邢国强 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人： | 陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤(1)将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中，在硅片表面形成纳米级绒面结构；其中，腐蚀温度为8~80℃，处理时间为10~1000秒；(2)绒面微结构修正刻蚀步骤将带有绒面结构的硅片放入化学腐蚀液中进行微结构修正刻蚀；所述化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸的混合液。本发明开发了一种新的晶体硅太阳能电池绒面的制备方法，通过对工艺参数的优化，在光电转换效率上取得了明显的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池的绒面结构的制备方法，其特征在于，由如下步骤组成：(1) 将硅片进行清洗、去除表面损伤层；(2) 将硅片放入含有氧化剂以及金属盐的氢氟酸溶液中，在硅片表面形成纳米级绒面结构；其中，腐蚀温度为20~35℃，处理时间为20~200秒；(3) 绒面微结构修正刻蚀步骤：将带有绒面结构的硅片放入化学腐蚀液中进行微结构修正刻蚀；所述化学腐蚀液为氢氟酸和硝酸的混合液；所述硅片为使用金刚线切割制备得到的硅片；(4) 去除金属颗粒步骤，具体如下：分别用酸液、去离子水清洗硅片，去除金属颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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