[发明专利]一种使用处理装置减少铜箔毛面铜粉的工艺

摘要

本发明提供了一种使用处理装置减少铜箔毛面铜粉的工艺，所述处理装置包括第1粗化处理槽、第2粗化处理槽、第1固化槽、第2固化槽、镀锌槽、防氧化处理槽、偶联剂涂布装置、以及烘干装置。通过本发明的处理装置，大量减少铜粉的产生，铜箔10cm2样品中铜粉数量不超过10个，最大铜粉直径不超过30μm，极大地降低了其用于制作印制电路板过程中导致短路的风险。

主权项

一种使用处理装置减少铜箔毛面铜粉的工艺，该处理装置包括依次连接的第1粗化处理槽、第2粗化处理槽、第1固化槽、第2固化槽、镀锌槽、防氧化处理槽、偶联剂涂布装置和烘干装置，其中，在第1粗化处理槽与第2粗化处理槽之间、在第2粗化处理槽与第1固化槽之间、第1固化槽与第2固化槽之间、第2固化槽与镀锌槽之间、镀锌槽与防氧化处理槽之间设有水洗槽，在第1粗化处理槽、第2粗化处理槽、第1固化槽、第2固化槽、镀锌槽、防氧化处理槽以及各水洗槽中设有将铜箔引入处理液中的液下辊，所述工艺包括：第1粗化槽中，将生箔电镀成的毛箔在温度20‑50℃条件下，在含有硫酸浓度150‑250g/L、Cu2+浓度5‑20g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度为20‑50A/dm2，电镀二段电流密度为3‑12A/dm2；在第2粗化处理槽中，将经第1粗化处理槽中处理过的铜箔在温度20‑50℃的条件下，在含有硫酸浓度150‑250g/L、Cu2+浓度5‑20g/L的粗化液中进行电镀，电镀一段电流密度为15‑40A/dm2，电镀二段电流密度为3‑12A/dm2；在第1固化槽中，将在第2粗化处理槽中处理过的铜箔在温度20‑50℃的条件下，在含有硫酸浓度80‑150g/L、Cu2+浓度30‑90g/L、HCl浓度5‑30ppm、分子量10000以下的低分子量明胶100‑500ppm的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度15‑40A/dm2，电镀二段电流密度15‑40A/dm2；在第2固化槽中，将在第1固化槽中处理过的铜箔在温度30‑45℃条件下，在含有硫酸浓度80‑150g/L、Cu2+浓度30‑90g/L、HCl浓度5‑30ppm、分子量10000以下的低分子量明胶100‑500ppm的固化液中进行电镀，电镀一段电流密度15‑40A/dm2，电镀二段电流密度15‑40A/dm2；在镀锌槽中，将在第2固化槽中处理的铜箔在温度30‑55℃、pH值7.5‑11的条件下，在含有Zn2+浓度2.0‑10.0g/L、焦磷酸钾浓度40‑100g/L镀锌液中电镀，电镀操作的铜箔毛面一段电流密度0.5‑2.0A/dm2，二段电流密度为0.5‑2.0A/dm2，光面电流密度为1.0‑3.0A/dm2；在防氧化处理槽中，将在镀锌槽中处理过的铜箔在温度20‑50℃、pH值9‑13的条件下，在含有Cr6+浓度0.8～2.0g/L、防氧化液中电镀，电镀操作的铜箔毛面一段电流密度3‑10A/dm2，二段电流密度为1.0‑3.0A/dm2，光面电流密度为1.0‑3.0A/dm2；在偶联剂涂布装置中，将防氧化工序电镀后的铜箔水洗后，喷涂有机膜偶联剂，喷涂温度为10‑50℃，所述有机膜偶联剂的浓度为1.0‑5.0g/L；在烘干步骤中，将用偶联剂涂布装置涂布过的铜箔烘干，烘干温度200‑320℃，烘干后任选收卷。