[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件。抑制了由于将晶体管的漏极电极与二极管的阴极电极耦合的配线的电感而导致的在其之间的切换的速度的降低。晶体管和二极管形成在衬底之上。晶体管和二极管布置在第一方向上。衬底还包括形成在其之上的第一配线、第一分支配线和第二分支配线。第一配线在晶体管与二极管之间延伸。第一分支配线形成为在以便与晶体管重叠的方向上从第一配线分支，并且耦合至该晶体管。第二分支配线形成为在以便与二极管重叠的方向上从第一配线分支，并且耦合至该二极管。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底；多个晶体管，形成在所述衬底的晶体管区域上；多个二极管，形成在所述衬底的二极管区域上，所述晶体管和所述二极管布置在第一方向上；第一配线，形成在所述衬底之上，并且在所述晶体管与所述二极管之间延伸；多个第一分支配线，在所述第一方向上从所述第一配线延伸以形成所述晶体管的漏极电极；多个第二分支配线，在所述第一方向上从所述第一配线延伸以形成所述二极管的阳极电极；以及绝缘分隔层，形成在所述第一配线之下的所述衬底中并且将所述晶体管区域和所述二极管区域分隔开。