[发明专利]非易失性存储器装置及其控制方法有效
| 申请号： | 201510394214.6 | 申请日： | 2015-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105336367B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | G·英特拉特;B·佩德森;S·霍麦尔;D·刘易斯;S·特林 | 申请（专利权）人： | 爱德斯托科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;吕俊刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种非易失性存储器装置及其控制方法。该方法可以包括以下步骤：(i)通过接口接收来自主机的写入命令；(ii)响应于所述写入命令在存储器阵列的第一阵列层面上开始执行写入操作，其中，所述存储器阵列包括按多个阵列层面设置的多个NVM单元；(iii)通过所述接口接收来自所述主机的读取命令；(iv)响应于在执行所述写入操作期间检测到的所述读取命令而挂起所述写入操作；(v)响应于所述读取命令在第二阵列层面上开始执行读取操作；以及(vi)在所述读取操作已经至少部分执行之后恢复所述写入操作。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器装置，即NVM装置，所述非易失性存储器装置包括：接口，所述接口被设置成接收来自主机的写入命令和读取命令；存储器阵列，所述存储器阵列包括按多个阵列层面设置的多个NVM单元；以及存储器控制器，所述存储器控制器被设置成，响应于所述写入命令在所述多个阵列层面中的第一阵列层面上执行写入操作，并且响应于所述读取命令在所述多个阵列层面中的第二阵列层面上执行读取操作，其中，所述存储器控制器被设置成，响应于在执行所述写入操作期间检测到的所述读取命令而挂起所述写入操作，并且，所述存储器控制器被设置成，在所述读取操作已经至少部分执行之后恢复所述写入操作。
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