[发明专利]一种采用晶圆设备电镀铜的方法在审
申请号: | 201510384730.0 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN105040059A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 向延海 | 申请(专利权)人: | 苏州华日金菱机械有限公司 |
主分类号: | C25D7/12 | 分类号: | C25D7/12;C25D5/02;C25D5/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张惠忠 |
地址: | 215151 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体制备工艺,尤其涉及采用晶圆设备电镀铜的方法,属于半导体工艺领域。具体制备工艺如下包括预先制备氧化硅基底层与绝缘层,开设沟槽,沟槽铺铜材料;进行打磨抛光处理;利用晶圆设备对铜材料进行电镀;清洗电镀后的氧化硅基层,完成制备。本发明提供的采用晶圆设备电镀铜的方法,与现有相比:提高了电镀工艺的稳定行,初始转速350-500rpm,提高了电镀的覆盖性。随后的两次转速的电镀工艺密度产品表面的缺陷,提高了产品的性能。本发明适用于低端的晶圆设备,产方不用更换价格高昂的设备。 | ||
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【主权项】:
一种采用晶圆设备电镀铜的方法,其特征在于:具体制备工艺如下:1)、预先制备氧化硅基底层与绝缘层,开设沟槽,沟槽铺铜材料;2)、完成步骤1)后进行打磨抛光处理;3)、完成步骤2)后利用晶圆设备对铜材料进行电镀;5)、清洗电镀后的氧化硅基层,完成制备。
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