[发明专利]一种晶体的生长装置及生长方法

摘要

本申请提供了一种晶体的生长装置，包括聚光屏；设置在聚光屏内的红外光源和透明的坩埚，所述红外光源设置在所述坩埚的周围；用于支撑所述坩埚的支撑杆；所述支撑杆和坩埚通过坩埚托相连接。本发明提供的生长装置采用透明的坩埚作为晶体生长的场所，本发明提供的晶体的生长装置不仅可以生长常规光学浮区法所能生长的晶体之外，还能够生长表面张力较低的晶体、容易氧化的晶体和有易挥发组分的晶体，实验结果表明，本发明提供的生长装置得到的晶体结晶性能良好，无气泡等缺陷，单晶重复率较高，不同批次间单晶质量差异小。成晶率在90～100％之间。本发明还提供了一种晶体的生长方法。

主权项

一种晶体的生长装置，包括：聚光屏；设置在聚光屏内的红外光源和透明的坩埚，所述红外光源设置在所述坩埚的周围；所述坩埚的红外波段透过率≥80％；所述坩埚的熔点比所生长的晶体的熔点高400～2000℃；所述红外光源为无影卤素灯，所述红外光光源的个数为2～4个；所述红外光源以所述坩埚的中心铅垂线为轴线对称分布在所述坩埚的周围；用于支撑所述坩埚的支撑杆；所述支撑杆为可升降和旋转的支撑杆；所述支撑杆和坩埚通过坩埚托相连接。