[发明专利]一种蓝宝石衬底回收方法在审
| 申请号： | 201510378725.9 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104966664A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 王立彬;易汉平;张志刚;李宁宁;张雪亮 | 申请（专利权）人： | 天津宝坻紫荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 司马利锋 |
| 地址： | 301800 天津市宝坻区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蓝宝石衬底的回收方法，所述蓝宝石衬底表面包含AlxInyGa1-x-yN(0≤x,y≤1)外延层、金属和/或钝化层，其包括如下步骤：使用清洗液清洗蓝宝石衬底表面，去除金属和/或钝化层；其特征在于，将待回收的PSS衬底置于设备腔体内，将氯气通入该设备腔体，氯气在腔体内被加热到700-1500℃之间，加热的氯气对腔体内待回收的蓝宝石衬底表面进行腐蚀去除，直至AlxInyGa1-x-yN(0≤x,y≤1)外延层被腐蚀干净；反应生成气体反应物经排气系统排出腔体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 回收 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石衬底的回收方法，所述蓝宝石衬底表面包含AlxInyGa1‑x‑yN(0≤x,y≤1)外延层、金属和/或钝化层，其包括如下步骤：使用清洗液清洗蓝宝石衬底表面，去除金属和/或钝化层；其特征在于，在ICP或RIE设备中，采用氯气或三氯化硼气体蚀刻去除蓝宝石衬底表面AlxInyGa1‑x‑yN(0≤x,y≤1)外延层；形成可回收利用的蓝宝石衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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