[发明专利]一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法有效

专利信息
申请号: 201510375588.3 申请日: 2015-06-30
公开(公告)号: CN105047573B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 石磊 申请(专利权)人: 通富微电子股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 226004 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法,包括以下步骤:1)提供一完成焊接的半导体封装件;2)对半导体封装件的焊锡涂覆保护层,将焊锡裸露的焊锡覆盖起来;3)半导体封装件进行清洗,除去多余的助焊剂;4)填充塑封材料。本发明提供的半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法,可有效避免半导体封装打线工艺中焊锡的腐蚀问题,提高半导体封装芯片的良率,而且工艺简单,操作方便,成本低,适合工业化推广应用。
搜索关键词: 焊锡 半导体封装 打线工艺 半导体封装件 防腐蚀 半导体封装芯片 涂覆保护层 塑封材料 助焊剂 良率 焊接 填充 裸露 清洗 腐蚀 覆盖
【主权项】:
1.一种半导体封装打线工艺中焊锡防腐蚀的处理方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:1)提供一完成焊接的半导体封装件;2)对所述半导体封装件的焊锡涂覆保护层,将焊锡裸露面覆盖起来,所述保护层为油墨、薄膜、蜡膜中的一种,所述薄膜为有机硅胶,所述保护层的厚度为15‑120μm;3)对所述半导体封装件进行清洗,除去多余的助焊剂;所述清洗方法为等离子体清洗或紫外‑臭氧清洗,所述等离子体清洗使用的等离子气体为85%的氩气和15%的氧气;4)填充塑封材料。
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