[发明专利]多晶硅样品刻蚀装置在审
申请号: | 201510368443.0 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN104934310A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | 魏博 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/66 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种多晶硅样品刻蚀装置,包括密封桶体、连杆装置、样品支架以及样品载台,桶体中央设有保护塔,连杆装置垂直于桶体底部可转动地设置于保护塔内;多晶硅样品刻蚀装置还包括与保护塔的外壁连接且垂直于桶体底部的隔板,隔板将桶体内的空间隔开形成两个以上的工作区域;连杆装置、样品支架以及样品载台依次连接,所述保护塔的外壁开设有一圈窗口,以供样品支架从保护塔内伸进工作区域且可随连杆装置转动而不会被保护塔外壁阻碍。本发明通过连杆装置控制支架前端绕转轴升降,从而控制样品载台上的样品是否浸渍于刻蚀液中。样品刻蚀过程发生在由密封桶体提供的全密封环境下,避免刻蚀液挥发等原因损害操作人员的人身健康。 | ||
搜索关键词: | 多晶 样品 刻蚀 装置 | ||
【主权项】:
一种多晶硅样品刻蚀装置,包括密封桶体、连杆装置、样品支架以及样品载台,其特征在于,所述桶体中央设有保护塔,所述连杆装置垂直于桶体底部可转动地设置于所述保护塔内;所述多晶硅样品刻蚀装置还包括与所述保护塔的外壁连接且垂直于桶体底部的隔板,所述隔板将桶体内的空间隔开形成两个以上的工作区域;所述连杆装置、样品支架以及样品载台依次连接,所述保护塔的外壁开设有一圈窗口,以供样品支架从保护塔内伸进工作区域且可随连杆装置转动而不会被保护塔外壁阻碍;所述隔板上开设有隔板缺口,以供样品支架和样品载台随所述连杆装置转动时能从一个工作区域穿过所述隔板缺口至另一个工作区域,所述连杆装置可控制所述样品支架升降。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造