[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶在审
| 申请号： | 201510359214.2 | 申请日： | 2015-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105274481A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 卫藤雅俊 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;杨生平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用Ga占比高的Cu-Ga合金的高强度的溅射靶。本发明的溅射靶是由平均含有大于22at％小于30at％的Ga，且剩余部分由Cu以及不可避免的杂质构成的Cu-Ga合金制成的Cu-Ga合金溅射靶，并且具有Cu中固溶有Ga的由γ相以及ζ相的混相所构成的柱状组织，在使用反射电子像的COMPO像进行观察的混相中，介于组织中的相(介在相)的长轴长度对短轴长度的纵横比的中间值为5～60。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其特征在于，所述溅射靶是由平均含有大于22at％小于30at％的Ga，并且剩余部分由Cu以及不可避免的杂质构成的Cu‑Ga合金制成的Cu‑Ga合金溅射靶，该溅射靶具有Cu中固溶有Ga的由γ相以及ζ相的混相所构成的柱状组织，在使用反射电子像的COMPO像进行观察的混相中，介于组织中的相即介在相的长轴长度对短轴长度的纵横比的中间值为5～60。
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