[发明专利]硅片分布状态图像组合检测方法及装置有效

专利信息
申请号: 201510338376.8 申请日: 2015-06-17
公开(公告)号: CN104979229B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 徐冬 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 陶金龙;张磊
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种硅片分布状态图像组合检测方法以及装置,该装置包括在位于硅片组上方设置图像传感单元,以及设置在机械手上的光电扫描单元或超声扫描单元;且光电扫描单元或超声扫描单元通过机械手驱动水平或垂直定位;在第一检测阶段的图像采集模式下,执行硅片凸片的异常状态极限位置预扫描指令;通过在第二检测阶段的光电扫描/超声扫描单元先工作在自接收测距模式,进行在预扫描出凸片上方所有硅片的循环扫描指令,第三检测阶段转换为互接收工作模式,执行硅片分布状态异常扫描指令,以及第四检测阶段又转换成自接收工作模式,执行在预扫描出凸片下方所有硅片的循环扫描指令;且在承载器的周围布设多个扫描检测点,进一步地提高了检测精度。
搜索关键词: 硅片 分布 状态 图像 组合 检测 方法 装置
【主权项】:
1.一种硅片分布状态图像组合检测方法,所述硅片位于承载器上形成硅片组;其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S1、将图像传感单元设置于硅片组的上方,设定理想放置硅片的中心坐标和实际放置区域距该中心坐标偏差阈值;启动图像传感单元拍摄硅片放置状态图像,并利用图像特征识别算法,判断硅片组中硅片放置是否有超出所述偏差阈值的情况;如果是,执行步骤S5,否则,执行步骤S2;步骤S2:将第一和第二光电传感器/第一和第二超声波传感器的工作模式设置成自接收模式,且第一和第二光电传感器/第一和第二超声波传感器定位对应于承载器第一个放置硅片的垂直起始点和步骤S1检测到的图像突出点作为水平起始点位置上方;步骤S3:第一和第二光电传感器/第一和第二超声波传感器设置于在所述承载器的圆周侧边的机械手上,并随所述机械手移动,在水平和/或垂直预设方向进行移动并执行扫描检测;其中,根据第一和/或第二光电传感器,或者,第一和/或第二超声波传感器,各自沿硅片层叠的垂直向下方向发射和接收光信号的时间差和预定的判断规则,判断硅片存在突出规定位置异常状态的垂直坐标;步骤S4:所述机械手沿所述承载器的承载区中心方向前进一个预设的水平步进距离,判断所述前进后的位置是否是水平终止点位置;如果是,执行步骤S5;否则,执行步骤S3;步骤S5:将两个光电传感器/超声波传感器设置成互接收模式,所述机械手从水平终止点位置垂直起始位置到垂直终止位置执行所有硅片分布状态异常扫描指令,根据两个光电传感器/超声波传感器间相互发射和接收的反馈值在扫描检测区域内光信号强度的分布状态,判断是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态;步骤S6:将两个光电传感器/超声波传感器设置成自接收模式,根据第一和/或第二光电传感器,或者,第一和/或第二超声波传感器,各自沿硅片层叠的垂直向上方向发射和接收光信号的时间差和预定的判断规则,判断硅片存在突出规定位置异常状态的垂直坐标;步骤S7:所述机械手沿所述承载器的承载区中心相反方向前进一个预设的水平步进距离,判断所述位置是否是步骤S1检测到的图像突出点的水平起始点位置;如果是,结束;否则,执行步骤S6。
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