[发明专利]功率器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510337512.1 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105428404B | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 全在德;金永哲;朴庆锡;金镇明;崔嵘澈 | 申请（专利权）人： | 快捷韩国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 浦彩华;姚开丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了功率器件及其制造方法。一种具有快速开关特性、同时保持EMI噪声为最小的功率器件，并提供了一种制造这样的功率器件的方法。所述功率器件包括：第一场阑层，所述第一场阑层具有第一导电类型；第一漂移区，所述第一漂移区形成于所述第一场阑层上，并具有呈低于所述第一场阑层的杂质浓度的第一导电类型；掩埋区，所述掩埋区形成于所述第一漂移区上，并具有呈高于所述第一漂移区的杂质浓度的所述第一导电类型；第二漂移区，所述第二漂移区形成于所述掩埋区上；功率器件单元，所述功率器件单元形成于所述第二漂移区的上部处；以及集电极区，所述集电极区形成于所述第一场阑层的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件，包括：第一场阑层，所述第一场阑层具有第一导电类型；第一漂移区，所述第一漂移区形成于所述第一场阑层上，并具有呈低于所述第一场阑层的杂质浓度的所述第一导电类型；掩埋区，所述掩埋区形成于所述第一漂移区上，并具有呈高于所述第一漂移区的杂质浓度的所述第一导电类型；第二漂移区，所述第二漂移区形成于所述掩埋区上；功率器件单元，所述功率器件单元形成于所述第二漂移区的上部处；以及集电极区，所述集电极区形成于所述第一场阑层的下方。
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