[发明专利]射频横向双扩散MOS器件的制作方法

摘要

本发明公开一种射频横向双扩散MOS器件的制作方法，包括：提供衬底，所述衬底的表面内形成有所述器件的源区、漏区、漂移区和体区，所述衬底表面上形成有所述器件的栅极；在整个器件的表面上依次沉积第一氧化层和场板；通过光刻，去除预设区域内的所述场板，以保留位于所述栅极上方的第一水平场板、覆盖所述栅极的一侧壁的竖直场板、以及位于靠近所述侧壁的部分漂移区上方的第二水平场板；在整个器件的表面上沉积第二氧化层；对整个器件的表面进行研磨，直至所述第一水平场板被研磨掉。本发明提供的方案，无需对光刻工艺有过高要求，即可降低场板产生的寄生电容，进一步提升器件性能和成品率。

主权项

1.一种射频横向双扩散MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的表面内形成有所述器件的源区、漏区、漂移区和体区，所述衬底表面上形成有所述器件的栅极；形成位于所述衬底表面上的栅氧化层；在所述栅氧化层的表面上形成所述栅极，所述栅极位于所述源区和所述漂移区之间；在整个器件的表面上依次沉积第一氧化层和场板；通过光刻，去除预设区域内的所述场板，以保留位于所述栅极上方的第一水平场板、覆盖所述栅极的一侧壁的竖直场板、以及位于靠近所述侧壁的部分漂移区上方的第二水平场板；在整个器件的表面上沉积第二氧化层；对整个器件的表面进行研磨，直至所述第一水平场板被研磨掉；其中，所述在整个器件表面上沉积第二氧化层，包括：在整个器件的表面上依次形成第三氧化层、旋涂硅玻璃层和第四氧化层，以形成所述第二氧化层。