[发明专利]用于晶体管装置的改良应力记忆技术在审
| 申请号： | 201510329397.3 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105280501A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | J·M·范梅尔;徐翠芹;I·弗瑞恩 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/08;H01L29/32 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明揭示用于晶体管装置的改良应力记忆技术,其中一种例示性的方法包含，除其它外，执行源极/漏极延伸离子植入以形成掺杂的延伸植入区域于装置的源极/漏极区域内、以VII族材料(例如，氟)执行离子植入工艺于该源极/漏极区域上、在执行该VII族材料离子植入工艺之后，形成覆盖材料层于该源极/漏极区域的上方，以及在该覆盖材料层就定位时，执行退火工艺以便形成堆迭缺陷于该源极/漏极区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体管 装置 改良 应力 记忆 技术 | ||
【主权项】：
一种形成包括栅极结构及多个源极/漏极区域的晶体管装置的方法，该方法包括：以掺杂材料执行源极/漏极延伸离子植入工艺，藉以形成掺杂的延伸植入区域于该源极/漏极区域内；以VII族材料执行VII族材料离子植入工艺于该源极/漏极区域上；在执行该VII族材料离子植入工艺后，形成覆盖材料层于该源极/漏极区域上方；以及在该覆盖材料层就定位时，执行退火工艺，以便形成堆迭缺陷于该源极/漏极区域内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
