[发明专利]一种具有高开关电流比的石墨烯晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510319636.7 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN105023950B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 王小荣 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高开关电流比的石墨烯晶体管及其制备方法，该石墨烯晶体管包括衬底层、由下向上依次生长在衬底层上的金属电极层、介质层、石墨烯沟道层以及金属纳米颗粒层，所述的石墨烯沟道层两端分别设有第一金属电极及第二金属电极，所述的金属电极层为栅极，所述的第一金属电极为源极，所述的第二金属电极为漏极。与现有技术相比，本发明结构简单，工艺条件温和，有效解决了石墨烯晶体管低开关电流比的问题，同时保持了石墨烯晶体管高导电特性，具有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 晶体管 开关电流比 石墨烯沟道层 金属电极层 金属电极 衬底层 金属电 制备 金属纳米颗粒层 高导电特性 工艺条件 有效解决 介质层 漏极 源极 生长 应用 | ||
【主权项】：
1.一种具有高开关电流比的石墨烯晶体管，其特征在于，该石墨烯晶体管包括衬底层、由下向上依次生长在衬底层上的金属电极层、介质层、石墨烯沟道层以及金属纳米颗粒层，所述的石墨烯沟道层两端分别设有第一金属电极及第二金属电极，所述的金属电极层为栅极，所述的第一金属电极为源极，所述的第二金属电极为漏极，所述的石墨烯沟道层中，石墨烯内设有纳米网状结构；所述的金属纳米颗粒层的制作过程为：先通过电子束蒸发法或磁控溅射法在石墨烯沟道层上生长一层金属吸收层，控制厚度为3‑5nm，再于200‑300℃条件下，退火5‑30min，退火后，金属吸收层受热转变成金属纳米颗粒层。
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