[发明专利]TEOS机台的排气管连接件以及排气管有效
申请号: | 201510310619.7 | 申请日: | 2015-06-07 |
公开(公告)号: | CN104878369B | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 顾武强;李占斌 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/40 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种TEOS机台的排气管连接件以及排气管,连接件包括一第一管和一第二管,所述第一管嵌套在所述第二管内,所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接,并且,所述第一管的高度大于所述第二管的高度。本发明中,第一管与第二管之间形成半封闭的连接空间,使得在未反应的气体或者反应的副产物排出反应腔室的过程中,形成的残留物可以沉积在半封闭的连接空间中,不会将排气管堵住。在后期的TEOS机台维护过程中,只需要将连接空间中的残留物去除即可,不会对机台的使用产生影响。 | ||
搜索关键词: | teos 机台 排气管 连接 以及 | ||
【主权项】:
一种TEOS机台的排气管连接件,其特征在于,包括一第一管和一第二管,所述第一管嵌套在所述第二管内,所述第一管的底端和所述第二管的底端封闭连接,并且,所述第一管的高度大于所述第二管的高度;所述第二管包括第一连接部与第二连接部,连接于所述TEOS机台的排气管之间,其中,所述第一连接部与所述第二管的顶端相连,所述第二连接部与所述第二管的底端相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510310619.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:窨井盖检测控制系统
- 下一篇:一种电力隧道防盗报警井盖
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的