[发明专利]利用RF平衡的多站式等离子体反应器

摘要

本发明涉及利用RF平衡的多站式等离子体反应器。公开了用于利用RF功率频率调谐的多站式半导体沉积操作的方法和装置。RF功率的频率可根据在半导体沉积操作期间所测得的等离子体的阻抗来调谐。在所述方法和装置的某些实施方案中，RF功率参数可以在沉积操作期间或之前进行调节。半导体沉积操作的某些其他实施方案可以包括利用相应的不同配方的多个不同的沉积工艺。配方可以包括用于每个相应的配方的不同的RF功率参数。相应的配方可以在每个沉积工艺前调节RF功率参数。RF功率频率调谐可以在每个沉积工艺期间被使用。

主权项

一种在衬底处理装置的处理室中的多个站中的循环等离子体辅助半导体沉积处理的方法，该方法包括：a)在所述多个站中的每一个处提供衬底；b)分配RF功率至多个站，从而在所述站内产生等离子体，其中，所述RF功率根据被调节以减小站到站的变化的RF功率参数来分配；c)调谐所述RF功率的频率，其中调谐所述频率包括：i)测量所述等离子体的阻抗，ii)根据在i)中测得的所述阻抗判定所述RF功率的所述频率的变化，以及iii)调节所述RF功率的所述频率；以及d)在每一个站的所述衬底上沉积薄膜，其中所述薄膜在单个ALD循环期间产生，每次在所述半导体沉积处理的新的ALD循环期间重复执行b)至d)，每个ALD循环包括点燃所述等离子体和将一种或多种处理气体输送至所述处理室，在多个ALD循环，所述RF功率参数的所述站到站的分配没有变化，以及在c)中所述调谐产生在一个ALD循环的第一RF功率频率和在另一个ALD循环的第二RF功率频率，并且其中所述第一RF功率频率和所述第二RF功率频率是不同的。