[发明专利]静电放电保护装置与静电放电保护系统

摘要

本发明提供一种静电放电保护装置和系统。静电放电保护装置，包括第一井、第二井、第一多晶硅区域、第二多晶硅区域以及第一保护层。第一井具有一第一传导类型并且位于基板。第二井具有一第二传导类型，位于基板且相邻第一井。第一多晶硅区域位于第一井，第二多晶硅区域位于第二井。第一保护层位于第一多晶硅区域以及第二多晶硅区域之间。第一保护层覆盖第一井的一部分、第二井的一部分、第一多晶硅区域的一部分以及第二多晶硅区域的一部分。在第一多晶硅区域以及第二多晶硅区域之间的第一保护层所覆盖的第一井的部分以及第二井的部分没有掺杂区域。本发明通过以上技术方案，可以有效地防止ESD电流的伤害。

主权项

一种位于基板上的静电放电保护装置，其特征在于，包括：第一井，具有第一传导类型并且位于该基板；第二井，具有第二传导类型并且位于该基板，其中该第二井相邻该第一井，该第二传导类型不同于该第一传导类型；第一多晶硅区域，位于该第一井，其中第一节点透过该第一多晶硅区域连接该第一井；第二多晶硅区域，位于该第二井，其中第二节点透过该第二多晶硅区域连接该第二井；以及第一保护层，位于该第一多晶硅区域以及该第二多晶硅区域之间，其中该第一保护层覆盖该第一井的一部分、该第二井的一部分、该第一多晶硅区域的一部分以及该第二多晶硅区域的一部分，并且在该第一多晶硅区域以及该第二多晶硅区域之间的该第一保护层所覆盖的该第一井的该部分以及该第二井的该部分没有掺杂区域。