[发明专利]相变化存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510293396.8 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106206938B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陶义方 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种相变化存储装置的制造方法包含提供一基板，其包含一存取电路、多个阵列排列的底电极以及多个加热器，其中加热器的一顶表面曝露出来；形成一介电层覆盖于加热器的顶表面；图案化介电层以形成多个凹槽，并经由多个凹槽曝露出加热器的顶表面；形成一第一屏障层于多个凹槽的一内侧表面；沉积一相变化材料于凹槽中；移除部分相变化材料，以曝露出位于凹槽的一侧壁的第一屏障层；以及形成一顶电极于凹槽中，以覆盖相变化材料。上述制造方法仅需一道遮罩即可完成相变化存储装置的制作。同时亦揭示一种相变化存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储装置的制造方法，其特征在于，包含：提供一基板，其包含一存取电路、至少一底电极以及至少一加热器，其中该底电极与该存取电路电性连接，该加热器对应设置于该底电极上，且曝露出该加热器的一顶表面；形成一介电层覆盖于该加热器的该顶表面；图案化该介电层以形成至少一凹槽，并经由该凹槽曝露出该加热器的该顶表面，其中该凹槽的底部内径大于该加热器的外径；形成一第一屏障层于该凹槽的一内侧表面；沉积一相变化材料于该凹槽中；移除部分该相变化材料，以曝露出位于该凹槽的一侧壁的该第一屏障层；以及形成一顶电极于该凹槽中，以覆盖该相变化材料。
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