[发明专利]用无氟钨填充高深宽比的特征的方法在审
| 申请号： | 201510293342.1 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN105280549A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 汉娜·班诺乐克;拉什纳·胡马雍;迈克尔·达内克;约瑟亚·科林斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文提供的是用无氟钨填充高深宽比的特征的方法，具体提供的是用于使用氯化钨反应剂沉积和蚀刻钨的方法和装置。该方法涉及使用氯化钨(WClx)作为前体和蚀刻剂两者。在一些实施方式中，在第一组条件下将所述衬底暴露于氯化钨(WClx)前体和还原剂以在衬底上的特征中沉积第一钨层；以及在第二组条件下将所述衬底暴露于WClx前体和所述还原剂以蚀刻所述第一钨层。根据各种实施方式，从沉积机制到蚀刻机制的转变可涉及增加WClx通量、降低温度、以及改变WClx前体中的一个或多个。还提供了相关的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 用无氟钨 填充 高深 特征 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底上沉积钨的方法，所述方法包括：在第一组条件下将所述衬底暴露于氯化钨(WClx)前体以及还原剂以通过化学气相沉积(CVD)在衬底上的特征中沉积第一钨层；以及在第二组条件下将所述衬底暴露于WClx前体和所述还原剂以蚀刻所述第一钨层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
