[发明专利]用无氟钨填充高深宽比的特征的方法

权利要求书

1.一种在衬底上沉积钨的方法，所述方法包括：

在第一组条件下将所述衬底暴露于氯化钨(WCl_x)前体以及还原剂以通过化学气相沉积(CVD)在衬底上的特征中沉积第一钨层；以及

在第二组条件下将所述衬底暴露于WCl_x前体和所述还原剂以蚀刻所述第一钨层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，氯化钨选自WCl₂、WCl₄、WCl₅、WCl₆，和它们的混合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述第一钨层包括非保形蚀刻使得在所述特征的开口附近的所述第一钨层的平均厚度的减小大于在所述特征内的第一钨层的平均厚度的减小。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述还原剂是氢气。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述第一组条件到所述第二组条件的转变包括降低温度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述第一组条件到所述第二组条件的转变包括增大WCl_x通量。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述沉积操作中的所述WCl_x与在所述蚀刻操作中的所述WCl_x前体是相同的。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述第一组条件到所述第二组条件的转变包括改变所述WCl_x前体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，从所述第一组条件到所述第二组条件的转变包括提高WCl_x浓度。

10.一种用钨填充特征的方法，所述方法包括：

将部分地填充有钨的特征暴露于WCl_x，从而在部分填充的所述特征中去除所述钨的一部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述特征的开口附近的所述钨的平均厚度的减小大于在所述特征内的钨的平均厚度的减小。

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括使部分填充的所述特征暴露于氢气。

13.一种用于处理衬底的装置，所述装置包括：

(a)一个或多个工艺室，其包括被配置成容纳衬底的基架；

(b)至少一个用于耦联到真空的出口；

(c)耦联到一个或多个工艺气体源的一个或多个工艺气体入口；以及

(d)控制器，其用于控制所述装置中的操作，包括机器可读指令，所述指令用于：

(i)将氯化钨和还原剂引入所述一个或多个处理室中的一个；以及

(ii)在(i)之后，将氯化钨和还原剂引入所述一个或多个处理室中的一个，其中，从(i)到(ii)的转变包括用于从沉积机制切换到蚀刻机制的指令。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述控制器包括用于通过提高氯化钨浓度以从(i)转变到(ii)的指令。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述控制器包括用于通过降低所述衬底的温度以从(i)转变到(ii)的指令。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述控制器包括用于通过改变氯化钨前体以从(i)转变到(ii)的指令。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述控制器包括用于通过提高氯化钨流率以从(i)转变到(ii)的指令。