[发明专利]一种硅基低磁场巨磁阻磁传感器件及制备与性能测试方法

摘要

本发明属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域，特别涉及一种基于微分负电导现象的硅基低磁场巨磁阻磁传感器件及其制备与性能测试方法。该器件用离子注入的方法，在Si单晶基片上形成一定浓度的重掺杂区域，再用沉积金属薄膜的方法引出两个电极而制成。所得到的器件可以产生巨大磁阻，该磁阻源于电流控制的微分负电导导致的电阻变化。这种器件在低磁场能呈现显著的磁电阻效应，具有很高的低磁场灵敏度。该器件还具有价格低廉，制备工艺简单等优点，是一种优异的磁场传感器，在磁盘读出磁头、电子指南针、运动装置监测等领域有潜在应用。

主权项

一种硅基低磁场巨磁阻磁传感器件，其特征在于，包括Si单晶基片、重掺杂区域和外电极；其中Si单晶基片的掺杂浓度小于1016cm‑3，电阻率大于0.1Ω·cm；重掺杂区域的掺杂浓度大于1016cm‑3，所述低磁场是指磁场强度为0.05T的磁场。