[发明专利]一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺有效
| 申请号： | 201510282331.3 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN105278256B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 卢彦丞;游信胜;陈政宏;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法。方法包括将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中BPM包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路(IC)图案；根据IC图案将光刻系统的照射装置设定为照射模式；根据照射模式将光瞳滤波器配置在光刻系统中；以及通过照射模式的光刻系统，利用BPM和光瞳滤波器对靶子执行光刻曝光工艺。本发明还提供了一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 印制 图案 密度 部件 紫外线 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法，包括：将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中，所述二元相位掩模包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路IC图案，其中，所述二元相位掩模包括所述两种相位状态的第一相位状态和第二相位状态，所述第一相位状态所占的面积大于所述第二相位状态所占的面积；根据所述IC图案将所述光刻系统的照射装置设定为照射模式；以所述照射模式将来自所述照射装置的极紫外线光提供至所述二元相位掩模；从所述二元相位掩模反射所述极紫外线光；根据所述照射模式将光瞳滤波器配置在所述光刻系统中；利用所述光瞳滤波器，从所述第一相位状态和所述第二相位状态滤除反射的所述极紫外线光中的非衍射分量，其中，滤除的所述非衍射分量的平均幅值为从所述第一相位状态反射的所述极紫外线光的幅值；增大反射的所述极紫外线光中的衍射分量的幅值，其中，反射的所述极紫外线光从所述第二相位状态衍射的幅值在过滤之后翻倍；以及利用具有增大的幅值的所述衍射分量来曝光光刻胶层。
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