[发明专利]一种印制低图案密度部件的极紫外线光刻工艺

权利要求书

1.一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法，包括：

将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中，所述二元相位掩模包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路IC图案，其中，所述二元相位掩模包括所述两种相位状态的第一相位状态和第二相位状态，所述第一相位状态所占的面积大于所述第二相位状态所占的面积；

根据所述IC图案将所述光刻系统的照射装置设定为照射模式；

以所述照射模式将来自所述照射装置的极紫外线光提供至所述二元相位掩模；

从所述二元相位掩模反射所述极紫外线光；

根据所述照射模式将光瞳滤波器配置在所述光刻系统中；

利用所述光瞳滤波器，从所述第一相位状态和所述第二相位状态滤除反射的所述极紫外线光中的非衍射分量，其中，滤除的所述非衍射分量的平均幅值为从所述第一相位状态反射的所述极紫外线光的幅值；

增大反射的所述极紫外线光中的衍射分量的幅值，其中，反射的所述极紫外线光从所述第二相位状态衍射的幅值在过滤之后翻倍；以及

利用具有增大的幅值的所述衍射分量来曝光光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述二元相位掩模包括：

第一反射层，设置在掩模衬底上；以及

第二反射层，设置在所述第一反射层上并且根据所述IC图案进行图案化。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，第一相位状态和第二相位状态被设计为具有180°的相移。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述IC图案具有小于25％的图案密度。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述IC图案具有大于75％的图案密度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述照射模式设定为实现离轴照射。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，设定所述照射装置包括设定多个可切换的反光镜以实现所述照射模式。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光瞳滤波器具有的图案与照射模式中所限定的图案相匹配。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述照射装置具有小于20％的填充光瞳比率。

10.一种用于极紫外线光刻(EUVL)工艺的方法，包括：

将二元相位掩模(BPM)加载至光刻系统，其中，所述二元相位掩模包括两种相位状态并且限定在其上的集成电路IC图案，其中，所述两种相位状态包括第一相位状态和第二相位状态；

根据所述IC图案将所述光刻系统的照射装置设定为高相干照射模式；

将来自所述照射装置的极紫外线光提供至所述二元相位掩模；

从所述二元相位掩模处反射所述极紫外线光，其中，反射的所述极紫外线光包括来自所述第一相位状态和所述第二相位状态的每一个的非衍射分量和衍射分量；

利用光瞳滤波器以从所述第一相位状态和所述第二相位状态的每一个中滤除所述非衍射分量；

其中，滤除所述非衍射分量增大了反射的所述极紫外线光的衍射分量的幅值，反射的所述极紫外线光从所述第二相位状态衍射的幅值在过滤之后翻倍；以及

通过所述二元相位掩模和在所述照射模式下的所述照射装置，利用具有增大的幅值的所述衍射分量来对涂覆在靶子上的抗蚀剂层执行光刻曝光工艺。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述二元相位掩模包括：

掩模衬底，具有第一区和第二区；

多层反光镜，设置在所述掩模衬底的所述第一区和所述第二区上方；以及

相移层，设置在所述第二区中的多层反光镜上方，其中，限定在所述二元相位掩模上的IC图案具有小于25％的图案密度。

12.根据权利要求10所述的方法，其中：

设定所述照射装置包括设定多个可切换的反光镜以实现所述高相干照射模式；以及

所述高相干照射模式位于所述光刻系统的光瞳区域之外。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述光瞳滤波器具有的滤光图案基本与限定在所述照射装置中的照射图案相匹配。