[发明专利]导电薄膜和包括其的电子器件有效
| 申请号： | 201510275760.8 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105321591B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 文庚奭;金相壹;金世润;朴喜正;李孝锡;崔在荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/10 | 分类号： | H01B1/10;H01B1/06;C01B19/04;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1MeCh2。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 包括 电子器件 | ||
【主权项】：
1.导电薄膜，包括：由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物：化学式1MeCh2其中Me为Ir、Pd、Pt、Ag、或者Au，和Ch为碲，其中所述导电薄膜包括多个包含化学式1的化合物的纳米片，或者其中所述导电薄膜为包含化学式1的化合物的连续的膜的形式，其中所述导电薄膜具有小于或等于50纳米的厚度，和其中所述导电薄膜对于具有550nm波长的光具有大于或等于80％的透射率，其中化学式1的化合物为PdTe2、AgTe2、IrTe2、PtTe2、AuTe2、或其组合，和其中α与ρ的乘积小于或等于30欧姆/平方，其中α为所述化合物对于具有550nm波长的光的吸收系数且ρ为所述化合物的电阻率值。
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