[发明专利]导电薄膜和包括其的电子器件

说明书

公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物，其中，Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或者Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。化学式1MeCh₂。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年5月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2014-0064011的优先权和权益，将其全部内容引入本文作为参考。

技术领域

公开导电薄膜和包括其的电子器件。

背景技术

例如平板显示器如液晶显示器(LCD)或发光二极管(LED)、触摸屏面板、太阳能电池、透明晶体管等的电子器件包括导电薄膜，所述导电薄膜可为透明的。用于导电薄膜的材料可具有，例如，在可见光区域中大于或等于约80％的光透射率和小于或等于约100微欧姆-厘米(μΩ*cm)的比电阻。对于导电薄膜目前可使用的氧化物材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)等。ITO具有差的柔性并且由于铟的有限储量而可成本较高。因此，期望替代性材料的开发。此外，氧化锡和氧化锌具有低的导电性和差的柔性。

为了开发作为下一代电子器件正在引起关注的柔性电子器件(例如能弯曲的或者能折叠的电子器件)，需要用于具有高的透明性和优异的导电性的柔性且稳定的透明电极的材料的开发。

发明内容

一种实施方式提供具有高的导电性和优异的光透射率的柔性导电薄膜。

另一实施方式提供包括所述导电薄膜的电子器件。

在一种实施方式中，导电薄膜包括：由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物：

化学式1

MeCh₂

其中Me为Ru、Os、Re、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag、或Au，和Ch为硫、硒、碲、或其组合。

所述导电薄膜在小于或等于50nm的厚度下对于具有550nm波长的光可具有大于或等于约80％的透射率。

由化学式1表示的化合物可为二碲化物化合物。

由化学式1表示的化合物可包括PdTe₂、AgTe₂、IrTe₂、PtTe₂、AuTe₂、或其组合。

在一种实施方式中，所述导电薄膜不包括表面氧化物层。

所述导电薄膜可为单晶的。

所述导电薄膜可具有大于或等于约10,000西门子/厘米(S/cm)的电导率。

所述化合物可显示小于或等于约30欧姆/平方(Ω/□)的(例如在25℃的温度下)对于具有550nm波长的光的吸收系数(α)与电阻率值(ρ)的乘积。

所述层状晶体结构可属于六方晶系并且具有空间群(空间群号164)。

所述导电薄膜可包括多个包含所述化合物的纳米片，并且所述纳米片可彼此接触以提供电连接。

所述导电薄膜可包括包含所述化合物的连续的膜。所述连续的膜可通过气相沉积形成。

另一实施方式提供电子器件，其包括导电薄膜，所述导电薄膜包括由化学式1表示并且具有层状晶体结构的化合物：

化学式1

MeCh₂