[发明专利]超结半导体器件的终端结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510256691.6 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN104952910A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 高文玉;陶有飞;徐雷军;刘启星 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;王婧荷 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结半导体器件的终端结构及其制造方法。所述终端结构具有若干超结P柱，每个超结P柱包括一顶部P柱和一底部P柱，每个超结P柱中顶部P柱的宽度不小于底部P柱的宽度。本发明的超结半导体器件的终端结构及其制造方法，能够提供高可靠小尺寸的半导体器件终端结构，并具有成本低、工艺简单容易实现和工艺窗口宽的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超结半导体器件的终端结构，具有若干超结P柱，其特征在于，每个超结P柱包括一顶部P柱和一底部P柱，每个超结P柱中顶部P柱的宽度不小于底部P柱的宽度。
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