[发明专利]一种基于径向结叠层结构的三原色光电探测方法

摘要

本发明公开了一种用于三原色光电探测的径向结叠层结构，在竖直硅纳米线表面覆盖生长多层不同掺杂类型的非晶硅，形成两层由内而外的PIN结构；并在两层结构之间淀积一层ITO透明导电膜以探测内外两层的光电探测响应电流；基于得到的径向结结构的腔体模式耦合特性，外层PIN结构的本征非晶硅作为吸收层对短波段(偏蓝)的入射光有较强响应；内层PIN结构的本征非晶硅对长波段(偏红)的光有较强响应；当内外两层串联时，光响应波段是两者的交集部分，实现对可见光波段内三原色的分别探测；而且该探测技术利用的是两层p‑i‑n结构对不同波段的响应差。该径向结叠层结构用于视网膜三原色的光电探测技术在节约材料，缩减工艺，降低电压，提高灵敏度，以及工作稳定性等方面展示出了极大的优势。

主权项

一种用于三原色光电探测的径向结叠层结构，其特征在于：在竖直硅纳米线表面覆盖生长多层不同掺杂类型的非晶硅，形成两层由内而外的 PIN 结构；并在两层结构之间淀积一层 ITO 透明导电膜以探测内外两层的光电探测响应电流；所述竖直硅纳米线是P型掺杂的竖直硅纳米线构成三维支架，并包覆多层不同掺杂类型的非晶硅构成叠层 PIN 结构。