[发明专利]一种超薄Ge单晶衬底材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510242633.8 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN105081893B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王元立;冯奎;刘文森 | 申请（专利权）人： | 北京通美晶体技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;王媛 |
| 地址： | 101113 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超薄Ge单晶衬底材料的制备方法，包括(1)由一种晶棒切割出厚度为140‑250微米的晶片；(2)在减薄机上对晶片背面进行减薄，然后将晶片放入腐蚀液中进行湿法腐蚀；(3)在减薄机上对晶片主面进行减薄，将减薄的晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，其中所述支撑物为刚性的平板，然后对固定在支撑物上的晶片进行抛光；(4)使用水和/或有机溶剂去除粘结剂；本发明还涉及一种超薄Ge单晶衬底材料，其厚度为60‑160微米；直径为2‑24厘米；表面粗糙度Ra为0.2‑0.5纳米；平整度为1.5至4微米；弯曲度为2‑5微米；翘曲度为5‑+5微米。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 ge 衬底 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超薄Ge单晶衬底材料的制备方法，包括(1)由一种晶棒切割出厚度为140‑250微米的晶片；(2)在减薄机上对晶片背面进行减薄，然后将晶片放入腐蚀液中进行湿法腐蚀；(3)在减薄机上对晶片主面进行减薄，将减薄的晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，其中所述支撑物为刚性的平板，然后对固定在支撑物上的晶片进行抛光；(4)使用水和/或有机溶剂去除粘结剂，其中步骤(2)和(3)中的减薄机所用的砂轮的粒径为＜1微米，仅进行一次抛光，并且所得到的晶片产品的厚度为60‑160微米，直径为2‑24厘米，表面粗糙度Ra为0.2‑0.5纳米，平整度为1.5至4微米，弯曲度为2‑5微米，翘曲度为‑5‑+5微米。
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