[发明专利]一种超薄Ge单晶衬底材料及其制备方法

权利要求书

1.一种超薄Ge单晶衬底材料的制备方法，包括

(1)由一种晶棒切割出厚度为140-250微米的晶片；

(2)在减薄机上对晶片背面进行减薄，然后将晶片放入腐蚀液中进行湿法腐蚀；

(3)在减薄机上对晶片主面进行减薄，将减薄的晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，其中所述支撑物为刚性的平板，然后对固定在支撑物上的晶片进行抛光；

(4)使用水和/或有机溶剂去除粘结剂，

其中步骤(2)和(3)中的减薄机所用的砂轮的粒径为＜1微米，仅进行一次抛光，并且所得到的晶片产品的厚度为60-160微米，直径为2-24厘米，表面粗糙度Ra为0.2-0.5纳米，平整度为1.5至4微米，弯曲度为2-5微米，翘曲度为-5-+5微米。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的厚度为70-140微米。

3.根据权利要求2的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的厚度为80-120微米。

4.根据权利要求3的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的厚度为90-110微米。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的直径为3-22厘米。

6.根据权利要求5的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的直径为5-20厘米。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的表面粗糙度Ra为0.2-0.4纳米。

8.根据权利要求7的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的表面粗糙度Ra为0.25-0.35纳米。

9.根据权利要求1的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的平整度为2-3微米。

10.根据权利要求1的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的弯曲度为2.5至4.5微米。

11.根据权利要求1的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的翘曲度为-4-+4微米。

12.根据权利要求11的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的翘曲度为-3-+3微米。

13.根据权利要求12的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的翘曲度为-2-+2微米。

14.根据权利要求13的方法，其特征在于，所得到的晶片产品的翘曲度为-1-+1微米。

15.根据权利要求1的方法，其特征在于，在步骤(2)中，湿法腐蚀所用的腐蚀液选自40重量％浓度的氢氟酸的溶液。

16.根据权利要求1的方法，其特征在于，在步骤(2)中，湿法腐蚀所用的腐蚀液选自40重量％浓度的氢氟酸和65重量％浓度的硝酸以(1.0-1.5):(2.0-2.5)体积比的混合液，40重量％浓度的氢氟酸、65重量％浓度的硝酸和99重量％浓度的冰醋酸以(1.0-1.5):(2.0-2.5):(1.0-1.8)体积比的混合液，以及40重量％浓度的氢氟酸、65重量％浓度的硝酸和95重量％浓度的硫酸以(1.0-1.5):(2.0-2.5):(0.9-1.5)体积比的混合液中的一种。

17.根据权利要求1的方法，其特征在于，在步骤(2)中，湿法腐蚀后的晶片背面的表面粗糙度Ra为0.02-0.05微米。

18.根据权利要求17的方法，其特征在于，在步骤(2)中，湿法腐蚀后的晶片背面的表面粗糙度Ra为0.02-0.04微米。