[发明专利]一种基于氧化石墨烯/聚苯乙烯/金纳米粒子复合材料的存储器件及其制备方法有效
申请号: | 201510240636.8 | 申请日: | 2015-05-13 |
公开(公告)号: | CN104952900B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 李亮;笪煜民;张新敏;喻湘华;张桥 | 申请(专利权)人: | 武汉工程大学 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L51/05 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于氧化石墨烯/聚苯乙烯/金纳米粒子复合材料的存储器件及其制备。本发明提供的存储器件是由下电极、旋涂在下电极上的氧化石墨烯/聚苯乙烯/金纳米粒子复合材料的中间电活性存储层、沉积在电活性存储层上的上电极组成。本发明在氧化石墨烯表面接枝聚苯乙烯,减弱石墨烯片之间的聚集,并有利于金纳米粒子在氧化石墨烯表面的均匀分布,且聚苯乙烯作为介电层,可改善载流子在复合材料中的传输能力。本发明制备的信息存储器件可表现出较好的存储性能,且可以通过调节复合材料的组分比例来调控信息存储器件的存储行为。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 石墨 聚苯乙烯 纳米 粒子 复合材料 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于氧化石墨烯/聚苯乙烯/金纳米粒子复合材料的存储器件,其特征在于,所述存储器件由下电极、中间电活性存储层和上电极组成,其中,中间电活性存储层为氧化石墨烯/聚苯乙烯/金纳米粒子复合材料,旋涂于下电极上;上电极沉积在中间电活性存储层上;其制备方法包括以下步骤:1)将0.5‑1g氧化石墨烯、20‑50mL的2‑溴异丁酰溴和10‑20mL的三乙胺分散于50‑100mL有机溶剂中,然后在冰水浴中恒温反应24‑48小时,经离心、洗涤和干燥,得含有引发基团的氧化石墨烯;2)将0.1‑0.2g含有引发基团的氧化石墨烯分散在5‑10mL的N,N‑二甲基甲酰胺中,在氩气气氛条件下,加入3‑6mg催化剂、0.5‑1.2mg阻活剂、0.15‑0.3mmol配体和1.2‑2mmol苯乙烯,然后在60‑70℃下恒温反应18‑36小时,经离心、洗涤和干燥,得表面接枝聚苯乙烯的氧化石墨烯;3)将金纳米粒子与表面接枝聚苯乙烯的氧化石墨烯超声分散在甲苯中,得所述的氧化石墨烯/聚苯乙烯/金纳米粒子复合材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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