[发明专利]蚀刻被蚀刻层的方法

摘要

提供蚀刻被蚀刻层的方法。课题是降低在被蚀刻层形成的多个开口的宽度的差异。该方法包括：(a)在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使等离子体反应产物沉积的第1工序、和(b)在第1工序之后，对被蚀刻层进行蚀刻的第2工序。掩模层具有粗区域和密区域。在粗区域形成了多个开口。密区域包围粗区域且掩模在该密区域比在粗区域密集地存在。粗区域包含第1区域和第2区域。第2区域为比第1区域接近密区域的区域。在该方法的第1工序中，第1区域中的开口的宽度比第2区域中的开口的宽度变窄。

主权项

1.一种蚀刻方法，其为对被蚀刻层进行蚀刻的方法，其包括：在设置于被蚀刻层上的包含有机膜的掩模层上使第1等离子体反应产物沉积的第1工序，和在使所述等离子体反应产物沉积的所述工序之后对所述被蚀刻层进行蚀刻的第2工序；所述掩模层具有：形成了多个开口的粗区域、和掩模比该粗区域密集地存在且包围该粗区域的密区域；所述粗区域包含第1区域、和比该第1区域接近所述密区域的第2区域；在所述第1工序中，所述第1区域中的所述开口的宽度比所述第2区域中的所述开口的宽度变窄，在所述第2工序中，所述被蚀刻层和通过所述第1工序沉积的所述等离子体反应产物被处理气体的等离子体蚀刻，同时在该第2工序中产生的第2等离子体反应产物沉积在所述掩模层上。