[发明专利]一种沟槽肖特基二极管终端结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510238896.1 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN104900719A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 高盼盼;代萌 | 申请（专利权）人： | 上海格瑞宝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 宋义兴 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽肖特基二极管终端结构，包括一N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧还设有一N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽，且所述第一沟槽的一侧设有一终端环结构,本发明还公开了沟槽肖特基二极管终端结构的制备方法。本发明由于第一沟槽对N型硅外延层的耗尽作用，第一沟槽的N型硅外延层的表面会形成耗尽层，随着反向电压增大，耗尽层会向硅表面深处(横向，纵向)扩展，使相邻沟槽间耗尽层相连，等同于在纵向上的耗尽层显著增加，从而增大了器件的反向耐压能力，同时减小了漏电流，而在器件的边缘部分增加一个终端环，用于改善器件的耐压和可靠性性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基 二极管 终端 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽肖特基二极管终端结构，其特征在于，包括一N型硅基片，且所述N型硅基片的一侧设有一N型硅外延层，且所述N型硅外延层内设有若干第一沟槽及一终端环结构。
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