[发明专利]薄膜晶体管以及显示装置有效
| 申请号： | 201510202482.3 | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN105006486B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 世古畅哉;畠泽良和;关根裕之 | 申请（专利权）人： | NLT科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;杨生平 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了液晶显示装置的改善的高清晰度以及其在明亮场所的使用，背光的亮度正在被增加。因此，当采用遮光层来抑制光生漏电流时，引起晶体管特性的波动，这可能在显示中导致故障。在具有浮置遮光层的双栅薄膜晶体管中，布局被设计成，当设所述遮光层与有源层最外侧处的漏区之间的相对面积为Sd，并且所述遮光层与栅电极之间的相对面积为Sg时，使得绝缘层的膜厚为大于等于200nm且小于等于500nm，并且Sg/Sd为大于等于4.7。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：用多晶硅有源层形成的沟道区、LDD区和漏区；经由栅极绝缘膜至少在沟道区中设置的栅电极；以及电浮置遮光层，其经由绝缘层至少与所述沟道区和所述LDD区重叠，其中，所述薄膜晶体管是多栅结构，所述遮光层被分割成彼此处于电浮置状态的多个遮光层，关于所述多个遮光层中的与所述多晶硅有源层的最外侧对应的一个遮光层和另一个遮光层，当设所述遮光层与所述漏区重叠的面积为Sd，并且所述遮光层与所述栅电极重叠的面积为Sg时，则所述一个遮光层的Sg/Sd大于所述另一个遮光层的Sg/Sd。
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